D類音頻放大器參考設計(EPC9192)讓模塊化設計具有高功率和高效，從而可實現全定制、高性能的電路設計。宜普電源轉換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設計，可實現優越、緊湊型和高效的D類音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設計中發揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優勢，在4Ω負載時，每聲道輸出功率達700 W。EPC9192是可擴展的模塊化設計，其主板配有兩個PWM調制器和兩個半橋功率級子板，實現具備輔助管理電源和保護功能的雙通道放大器。這種設計的靈活性高，使
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GaN FET D類音頻放大器
Cascode GaN FET 動態測試面臨的挑戰 Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅動電壓范圍。然而，電路設計人員發現該器件在實際電路中使用起來并不那么容易，因為它很容易發生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人員在電路中使用大柵極電阻時必須減慢器件的運行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優勢。圖 1 顯示了關斷時的發散振蕩。圖 2 顯示了導通時的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
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氮化鎵 FET
基于氮化鎵器件的逆變器參考設計(EPC9193)讓您實現具有更高性能的電機系統，其續航里程更長、精度更高、扭矩更大，而且同時降低了系統的總成本。宜普電源轉換公司（EPC）近日宣布推出EPC9193，它是使用EPC2619 eGaN?FET的三相BLDC電機驅動逆變器，具有14V~65V的寬輸入直流電壓范圍和兩種配置，分別為標準和高電流版本：●? ?EPC9193 是標準參考設計，在每個開關位置使用單個FET，可提供高達30ARMS 的最大輸出電流?！? ?EPC91
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氮化鎵器件 電動自行車 無人機 機器人 EPC GaN 宜普
SiC 市場的快速擴張主要得益于電動汽車的需求，預計 2023 年市場將比上年增長 60%。
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GaN SiC
Qorvo是一家在射頻解決方案領域具有顯著影響力的美國公司。它通過提供創新的射頻技術，為移動、基礎設施與國防/航空航天市場提供核心技術及解決方案，致力于實現全球互聯。Qorvo在射頻前端模塊、濾波器、功率放大器、開關、調諧器等領域都展現出了強大的技術實力和市場地位。它是全球主要的功頻放大器供貨商，其產品在市場上具有較高的認可度和廣泛的應用。這使得Qorvo在推動5G網絡、云計算、物聯網等新興應用市場的發展方面發揮了重要作用。在Qorvo所擅長的寬帶功率放大器領域之中，GaN材料展露出了重要的應用潛力。由于
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Qorvo GaN 寬帶功率放大器
唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者——納微半導體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展，邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術打造，象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺。納微半導體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應用為導向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術●? &
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納微半導體 亞洲充電展 GaN+SiC 快充
英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發電站轉換器中使用英飛凌的GaN功率半導體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后，該功率轉換器將變得更輕、更小，系統成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優化電路和布局設計，進一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執行官Steven Rossi表示：“英飛凌高質量標準和穩固的供應鏈為我們提供了
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英飛凌 Worksport 氮化鎵 GaN 便攜式發電站
全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。憑借超低導通電阻
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EPC 1mΩ 導通電阻 GaN FET
激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準農業。在這些應用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時發射功率不超過 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰性，因為需要使用微控制器或其他大型數字集成電路 (IC) 來控制激光二極管，但又不能直接驅動它，這樣就必須增加一個柵極
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自主駕駛 LiDAR GaN FET
用展覽會(APEC 2024)上重點展示基于EPC氮化鎵器件的電源轉換解決方案。APEC展覽會將于2024年2月25日至29日在美國加利福尼亞州長灘舉行，業界專家和領袖將匯聚于此，共同探討電力電子領域的最新技術進展。在APEC展會上，EPC將展示其業界最全面的全系列產品和先進功率轉換方案，其在效率、可靠性和性能方面，讓DCDC轉換器、電機驅動和再生能源等應用實現無可比擬的優勢。歡迎大家蒞臨參觀EPC位于展位號#1045的展臺：●? ?安排會議：向我們的氮化鎵專家學習如何優化您的功率系統
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EPC APEC 2024 電力電子解決方案
電力電子應用希望納入新的半導體材料和工藝。
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GaN SiC
當今，快充市場正迎來前所未有的機遇與挑戰。風暴仍在繼續，快充市場的迅猛發展，用戶對于充電器的功率需求也在不斷增大；移動設備的普及，用戶對于充電器體積的要求也越來越高；同時為了在激烈的市場競爭中脫穎而出，低成本是每個快充產品必須考慮的因素。種種這些都對快充技術的要求愈發嚴格，不僅需要高效率、高功率，還需要適應多樣化的標準和滿足用戶個性化的需求。在種種挑戰之下，PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線反激式開關IC，在內部集成750V或900V PowiGaN?初級開關、初級側控制器、FluxLink?
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PI SR-ZVS GaN 氮化鎵
中國 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現業界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產品，導通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC
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Qorvo SiC FET 電動汽車
宜普電源轉換公司（EPC）推出三款激光驅動器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉換的GaN FET以實現具備卓越性能的激光雷達系統。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅動器和通過車規級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長距離和
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EPC GaN FET 激光二極管
消費者希望日常攜帶的各種電子設備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數電子產品轉向 USB Type-C? 充電器，越來越多的用戶希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設備充電。在設計現代消費級 USB Type-C 移動充電器、PC 電源和電視電源時，面臨的挑戰是如何在縮小解決方案尺寸的同時保持甚至提高功率水平。德州儀器的低功耗氮化鎵 (GaN) 器件有助于在各種最流行的拓撲中解決這一問題，同時提供散熱、尺寸和集成方面的優勢。在過去的幾十年里，隨著 GaN 等寬帶隙技術的發展，交流/直流拓撲
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